我国第三代半导体材料制造设备取得新引起癫痫的原因突破 我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 2017-10-25 8:33:36 章丘癫痫病专科医院 哈尔滨哪家医院治疗癫痫比较好 从科技部获悉, 近日,863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂引起癫痫的病因都有哪些呢移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势,特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显,由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的要求,长期以来制约着我国第三代半导体材料的规模化、产业化发展。 在国家863计划的支持下,由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头,中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学等单位共同参与的研发团队成功研制了满足高压SiC电力电子器件制造所需的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备,形成了我国具有自主知识产权的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备体系。所研制的4-6英寸通用型SiC单晶炉,实现了“零微管”(微管密度<1个/cm2)4英寸SiC单晶衬底和低缺陷密度的6英寸SiC单晶衬底的制备技术,掌握了相关外延工艺技术,生长出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片,并制备了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二极管系列产品。已在市场上批量推广使用。(来源:互联网) 分享到: 上一篇:节能减排助力空气源热泵发展 下一篇:中国五金机电周刊将与万贯五金机电网合作共同发布五金指数 |
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