我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

从科技部获悉， 近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工癫痫的年龄艺技术研究”课题通过了技术验收。

通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，由于第三代半导体材料癫痫病的急救药物的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的要求，长期以来制约着我国第三代半导体材料的规模化、产业化发展。

在国家863计划的4-6英寸通用型SiC单晶炉，实现了“零微管”(微管密度1个/cm2)4英寸SiC单晶衬底和低缺陷密度的6英寸SiC单晶衬底的制备技术，掌握了相关外延工艺技术，生长出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，并制备了1200V、1700V、3300V、8000V碳化癫痫病发作前的征兆硅二极管系列产品。已在市西藏治疗癫痫病医院哪里比较好场上批量推广使用。